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APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)

APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)
APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드) APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)
제품문의

APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)는 실리콘 또는 게르마늄의 pn 접합에 의하여 만들어진 광검출기입니다. pn 접합에 역방향 바이어스 전압을 가하는것을 통해 pn 접합에 입사한 빛에 의하여 발생한 전자와 전계에 의하여 광전류흐름이 생깁니다. pn 접합시 역방향 전압이 증가하면서 사태전류 즉 애벌란시 전류가 생깁니다. 전류 캐리어의 애벌란시 효과는 감지시스템의 광신호를 증폭하는데 사용되어 검출기의 감도를 향상시킬수 있습니다.

본 시리즈의 광다이오드(photodiode)는 동작전압이 낮고 , 고감도, 암전류가 적으며 펄스형 출력모드 또는DC 출력모드로 동작할수 있습니다. 본 소자는 일반적으로 원거리 전송시스템, OTDR 시스템, 라만 후방산란 시스템용 검출기등에 사용됩니다.

OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드

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광학적 및 전기적 특성
파라미터(매개변수) 기호 최소치 전형치 최고치 단위 주의
역방향 브레이크다운 전압 VBR 40 45 55 V ID = 100 μA
역방향 브레이크다운 전압 온도계수 δ 0.2 %/°C
암전류 ID 5 25 nA VR = VBR x 0.9
곱셈암전류 IDM 1 3 nA M = 2 to 10
단말 정전용량 Ct 0.35 pF VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz
차단 주파수 fC 2.5 GHz M = 10
양자 효율 η 76 90 % λ = 1310 nm, M = 1
65 77 λ = 1550 nm, M = 1
반응성 S 0.85 0.90 A/W λ = 1310 nm, M = 1
0.90 0.95 λ = 1550 nm, M = 1
초과 잡음 인자 X 0.7 - λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μw, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
F 5 λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μw, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
광 귀환 감쇠량 ORL 30 40 dB SMF

당사는 중국의 APD/애벌랜치 포토다이오드 (OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드) 전문 제조업체로서, CWDM 다이오드 레이저 모듈, 버터플라이타입 파이버 커플드 레이저 다이오드, 파장 분할 다중화시스템용 3-10G InGaAs 피그테일형 검출기 모듈등을 공급하고 있습니다.

관련제품명
아발란치 광수신소자| 원거리 통신시스템용 레이저소자| 고감도 반도체 소자

오시는 길

Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.

주소: Floor 5, Block B, Creative Building, Shaojia Tsui, Wenzhi St., Hongshan District, WuhanCity, Hubei Province, P. R. China 430074
담당자 : Wendy
Skype: Wendy_laser
Tel.: +86-27-87179709
Fax: +86-27-87172995
휴대폰 : +86-15902779619
Email: wendy@laserdiodedevice.com
웹사이트: www.laserdiodedevice.com